GD32VF103VBT6

兆易创新(GigaDevice) · GD32VF103 系列

量产 32 位 · RV32IMAC 低功耗数据 通用MCURISC-V电机控制
最高主频
108MHz
SRAM
32KB
片上 Flash
128KB
动态电流
185.6µA/MHz
休眠电流
460µA
供电电压
2.6–3.6V

概览

GD32VF103VBT6 是 兆易创新 的 32 位 RISC-V MCU,基于 芯来 Nuclei 的 Nuclei N200 (Bumblebee) 内核(RV32IMAC),最高主频 108 MHz,片上集成 32 KB SRAM 与 128 KB KB Flash。 典型动态功耗约 185.6 µA/MHz。

核心与存储

厂商兆易创新 · GigaDevice(中国大陆)
IP 品牌 / 归属地芯来 Nuclei(中国大陆)
内核Nuclei N200 (Bumblebee)
指令集 / 位宽RV32IMAC · 32 位
最高主频108 MHz
SRAM32 KB
片上 Flash128 KB

功耗与电气

动态电流
185.6 µA/MHz
休眠电流
460 µA
待机 / 关断
6.32 µA

条件与说明: 数据手册 Rev2.0 典型值 VDD=3.3V/25°C:Run 20.05mA@108MHz(外设时钟全关)→185.6µA/MHz;deep-sleep 460µA(LDO 正常、RTC 关);standby 6.32µA(IRC40K/RTC 关);唤醒 deep-sleep 6µs、standby 118.8ms。

供电电压2.6–3.6 V
工作温度-40 ℃ ~ 85 ℃
唤醒时间6 µs

外设与接口

UART / USART5 路
SPI3 路
I²C2 路
CAN / CAN FD2 路
USB Full-Speed1 路
I²S2 路
DMA12 路
ADC16 通道 · 12 位
DAC2 通道
PWM22 通道
其他EXMC 外部存储器接口;2x 12-bit ADC;DMA 7+5 通道;4x 通用定时器 + 1x 高级定时器

数据来源与说明

置信度:高(官方数据手册) · 最后校验 2026-11-04

RISC-V 内核为芯来 N200(Bumblebee),RV32IMAC,带 ECLIC。家族最大 128KB Flash/32KB SRAM;不存在 512KB 的 GD32VF103VET6(VET6 属 ARM 的 GD32F103)。LQFP100,80 GPIO,带 EXMC 外部存储器控制器;V8T6 为 64KB/20KB。